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NX-Wafer 全自動(dòng)晶圓檢測(cè)原子力顯微鏡

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超高精度和最小化探針針尖變量的亞埃米級(jí)表面粗糙度測(cè)量，晶圓的表面粗糙度對(duì)于確定半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的，對(duì)于的元件制造商，芯片制造商和晶圓供應(yīng)商都要求對(duì)晶圓商超平坦表面進(jìn)行更精確的粗糙度控制，通過(guò)提供低于0.5埃的業(yè)界低噪音，并將與其真正的非接觸式是模式相結(jié)合，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有最小針尖變量的亞埃米級(jí)粗糙度測(cè)量，Park的串?dāng)_消除還允許非常平坦的正交XY掃描，不會(huì)有背景曲率，及時(shí)在最平坦的表面上，也不需要過(guò)多考慮掃描位置，速率和大小，這使得其非常精確和可重復(fù)地對(duì)微米級(jí)粗糙度到長(zhǎng)范圍不平整表面進(jìn)行測(cè)量。帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動(dòng)的缺陷檢測(cè)和識(shí)別，使得關(guān)鍵的在線過(guò)程能夠通過(guò)高分辨3D成像對(duì)缺陷類(lèi)型進(jìn)行分類(lèi)并找出他們的來(lái)源，智能ADR專(zhuān)門(mén)為半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)計(jì)提供的缺陷檢測(cè)解決方案，具有自動(dòng)目標(biāo)定位，且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標(biāo)記，與傳統(tǒng)的缺陷檢測(cè)方法相比，智能ADR過(guò)程提高了1000%的生產(chǎn)率，此外，帕克具有創(chuàng)造性True-Contact模式AFM技術(shù)，使得新ADR有能力提高20倍的更長(zhǎng)的探針壽命。

工業(yè)的低噪聲帕克原子力顯微鏡于長(zhǎng)距離滑動(dòng)臺(tái)相結(jié)合，成為用于化學(xué)機(jī)械拋光計(jì)量的原子力輪廓儀，新的低噪聲AFP為局部和全面均勻性測(cè)量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有輪廓掃描精度和市場(chǎng)可重復(fù)性，這保證在寬范圍的輪廓量程上沒(méi)有非線性或高噪聲背景去除的高精度測(cè)量。

主要技術(shù)特點(diǎn)

200 mm電動(dòng)XY平臺(tái)	300 mm電動(dòng)XY平臺(tái)	電動(dòng)Z平臺(tái)
行程可達(dá)275mm x 200mm, 0.5 μm分辨率	行程可達(dá)400 mm x 300 mm， 0.5μm分辨率	25 mm Z行程距離 0.08μm 分辨率
電動(dòng)聚焦平臺(tái)	樣品厚度	COGNEX圖像識(shí)別
8mm 行程Z軸光學(xué)距離	厚至 20mm	圖像校正分辨率1/4 pixel
200mm 系統(tǒng)	300mm 系統(tǒng)	設(shè)備需求環(huán)境
2732mm x1100mm x 2400 mm 大約2110kg 操作員空間:3300mm x 1950mm	3486mm x 1450 mm x 2400 mm 大約2950 kg 操作員空間: 4770mm x 3050 mm	室溫10 ℃~40 ℃ 操作18 ℃~24 ℃ 濕度 30%~60%

主要功能

1.晶圓和基底的自動(dòng)缺陷檢測(cè)

新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和校正缺陷的測(cè)量和放大掃描成像的全自動(dòng)缺陷復(fù)查過(guò)程，不需要樣品晶圓做任

何的標(biāo)記，

2.亞埃米級(jí)表面粗糙度控制

通過(guò)在整個(gè)晶圓區(qū)域提供低于0.5埃的業(yè)界噪音下線，可以對(duì)最平坦的基底和晶圓進(jìn)行精確，可重復(fù)和可再現(xiàn)的亞埃米級(jí)粗

糙度測(cè)量，并最小化針尖的變量，即使對(duì)掃描尺寸達(dá)到100μm x 100 μm的遠(yuǎn)距離波長(zhǎng)，也能夠獲得非常精確和可重復(fù)的表面測(cè)

量

3.CMP進(jìn)行表征的長(zhǎng)范圍輪廓掃描

Park NX-Wafer 實(shí)現(xiàn)了的CMP測(cè)量，包括凹陷、侵蝕和邊緣過(guò)度侵蝕（EOE）的局部和局部的平坦度測(cè)量。

應(yīng)用

線寬測(cè)量

超光滑材料表面粗糙度測(cè)量

晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)應(yīng)用

相關(guān)文獻(xiàn)

Ardavan Zandiatashbar; et al.“Automated AFM for small-scale and large-scale surface profiling in CMP applications" Proc. SPIE 10585, Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXXII, 105852U (13 March 2018)