上海納騰儀器有限公司
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產(chǎn)品型號DWL 66+
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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更新時間：2025-01-12 11:14:25瀏覽次數(shù)：73次
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DWL 66+激光光刻系統(tǒng)是經(jīng)濟型、具有高分辨率的圖形發(fā)生器。適用于小批量掩膜版制作和直寫需求。DWL 66+擁有多種選配模塊，例如:正面和背面對準系統(tǒng);405nm和375nm波長的激光發(fā)生器;高級選配:位置精度校準和自動上下版加載系統(tǒng)。
更值得關(guān)注是DWL 66+在灰度曝光模式下的表現(xiàn)，從標準到專業(yè)水平的性能展現(xiàn)，這種多功能技術(shù)對于低對比度正型光刻的厚膠工藝，可以創(chuàng)建復(fù)雜2.5D微結(jié)構(gòu)，常用于微透鏡、DOE、全息圖(CGHs)和紋理表面結(jié)構(gòu)等科研領(lǐng)域。
DWL 66+的高度靈活和可定制的解決方案，專門為您的應(yīng)用量身定做，已成為生命科學、封裝、MEMS、微光學、半導體和所有其他需要微結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中應(yīng)用普遍的光刻研究工具。
DWL 66+原理：
利用強度可變的激光束對基片表面的抗蝕材料實施變劑量曝光，顯影后便在抗蝕層表面形成要求的結(jié)構(gòu)輪廓。
DWL 66+具有以下優(yōu)點：
? 高分辨率
? 無掩模光刻
? 多種可選配模塊
? 靈活性與可定制性
? 可以設(shè)定多樣的實驗條件
主要功能
? 光柵掃描曝光
? 快速曝光復(fù)雜的圖形
? 灰度光刻
技術(shù)能力
? 曝光面積：200×200mm2
? 基板尺寸:9"x 9"
? 多個直寫模式
? 特征尺寸：小至300nm
? 書寫速度（4μm分辨率下）:2000mm2/min
? 灰度曝光模式，1000灰度
? 矢量和柵格掃描曝光模式
? 多數(shù)據(jù)輸入格式
? 前后對齊
? 激光波長(405nm或375nm、兩種選擇)
? 實時自動對焦系統(tǒng)
? 腳本兼容
? 測量和檢驗的一體化攝像系統(tǒng)
應(yīng)用
生命科學、封裝、MEMS、微光學、半導體及其他有微納米結(jié)構(gòu)需求的領(lǐng)域。
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