1756-OA16
1756-OA16
利用了帶隙比硅窄的材料SiGe，目的是在保持與CMOS工藝的親和性的同時，獲得比硅材料TFET更高的導(dǎo)通電流。
不過，即使源極、漏極和溝道全部采用SiGe，其效果也很小。東芝通過能帶圖推測了在構(gòu)成CMOS的pFET和nFET的哪部分采用SiGe能提高導(dǎo)通電流。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在pFET的溝道和nFET的源極采用SiGe時，效果達到zui大化。
與以往的硅材料TFET相比，這種TFET的導(dǎo)通電流提高到了100倍。通過部分去除源的SiGe，還抑制了采用SiGe造成的關(guān)態(tài)漏電流增大現(xiàn)象。
在SiGe的應(yīng)用位置上下工夫
既能提高導(dǎo)通電流又能降低關(guān)態(tài)漏電流
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