1747-L532
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RG設(shè)定影響HS3 IGBT切換效能
前文顯示HS3 IGBT在高頻率應(yīng)用上大幅超越IGBT3及IGBT4，接下來要測量的是HS3 IGBT在操作條件下的效能。在一般的太陽能變頻器操作條件下，HS3 IGBT大部分將以低于額定晶片電流的集極電流運(yùn)作;此外，直流連結(jié)電壓可能會(huì)隨廣泛的電壓范圍變化。因此，以下將分析HS3 IGBT在150~450V的直流連結(jié)電壓范圍，以及集極電流達(dá)到額定晶片電流下的切換損耗。
測量時(shí)，閘極驅(qū)動(dòng)電路使用RG=15。圖2顯示HS3 IGBT切換損耗與直流連結(jié)電壓的關(guān)聯(lián)，當(dāng)VDC較低時(shí)EOFF也較低，且會(huì)隨著VDC提高呈線性增加，而較高的集極電流則會(huì)提高關(guān)斷損耗;相較之下，可發(fā)現(xiàn)EON的提高與VDC和IC不成比例，在IC=10A時(shí)，EON相對于VDC的斜率幾乎為恒定;在IC=30和50A時(shí)，可發(fā)現(xiàn)VDC300V時(shí)的斜率變大。在插圖中，非等比例的提高也同樣發(fā)生在Etotal。
圖2HS3 IGBT切換能量EON和EOFF與直流連結(jié)電壓在IC = 10、30和50A的關(guān)系。上方插圖為HS3 IGBT的Etotal與直流連結(jié)電壓IC = 10、30和50A的關(guān)系。
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